Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 129 стр.

                                                                                                                     Таблица П.3.
         Виды и причины дефектов (наиболее типичных) на различных операциях технологического процесса изготовления
                                полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах.
 Наименова            Виды дефектов.                 Причины появления дефектов.                           Примечания.
     ние
 операции.
      1                     2                                       3                                            4
1. Резка     Неплоскостность отрезаемых     Изменение жесткости крепления режущего Причины дефектов указаны для резки
слитка       пластин более допустимой (а)*; инструмента в процессе резки (а);               слитков алмазным кругом с внутренней
кремния на сколы, трещины (на               увеличение радиального биения режущей           режущей кромкой. Для слитков диаметром
пластины     поверхности пластины) с        кромки более допустимого (б); не                более 150 мм применяют резку алмазной
             размерами более допустимых     оптимально выбраны режимы резания               ленточной пилой, режущую кромку
             (б); геометрические параметры (такие как скорость резания, рабочая подача которой изготавливают по всей
             и глубина нарушенного слоя     слитка и расход смазочно-охлаждающей            протяженности ленты либо в виде
             поверхности пластины не        жидкости) (в); неточность разворота             отдельных сегментов. Последнее, как и
             соответствуют допустимым (в); оправки относительно режущего                    сам способ реализации резки в этом
             отклонение от                  инструмента (г).                                случае, при определенных условиях
             кристаллографической                                                           существенно влияет на качество
             ориентации более допустимого * - Обозначения в скобках (в графах 2 и 3)        получаемых пластин. После резки слитка
             (г).                           следует   понимать : дефект (а) вызван причиной шероховатость поверхности пластин
                                            (а) и т. д.                                     составляет 2,0-3,0 мкм.
2.           Дефекты геометрической         Износ шлифовальников более допустимого В случае крепления пластин к
Шлифова- формы пластины:                    (а); нарушение режима шлифования                шлифовальной головке (при шлифовании
ние          неплоскостность,               (рабочего давления на пластины, скорости несвободным абразивом) причиной
пластин      непараллельность сторон,       вращения шлифовальника, постоянства             дефектов могут быть также
кремния.     прогиб, разброс по толщине     температуры в зоне шлифования, либо             неравномерность толщины клеящего слоя,
             более допустимых (а); наличие постоянства вязкости абразивной суспензии недопустимый разброс толщин
             сколов на кромках пластин (б). по времени) (а, б); отсутствие контроля         одновременно шлифуемых пластин и др.
                                            состояния сепараторов, удерживающих             После шлифования шероховатость
                                            пластины при шлифовании (б).                    пластин составляет 0,2-0,5 мкм.
                                                             129