Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 132 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

132
Продолжение табл. П.3.
1 2 3 4
7. Диффузия
примесей в
кремний.
Величина боковой диффузии
более допустимой (а);
наличие эрозии (б);
неравномерность
диффузионного фронта по
глубине более допустимой
(в); образование
промежуточных фаз на
поверхности диффузионных
областей (г); значения ρ
s
и X
j
и их разброс по пластине не
соответствуют допустимым
(д).
Скопление дислокаций в
приповерхностном слое (а, в, д);
завышение расхода диффузанта в
технологической среде при
отсутствии кислорода (б, в, г);
неоптимален температурно-
временной режим процесса
диффузии (д); нарушение
герметичности системы подачи
газов (б, в).
На границах диффузионных областей при
высоком уровне легирования возможно
появление внеконтурных дислокаций
несоответствия; краевые и винтовые
дислокации возможны, если уровень
напряжений кристаллической решетки (из-за
отличия размеров атомов примеси и
полупроводника) превышает предел
текучести материала; микродефекты и линии
скольжения выявляют селективным
травлением и определяют их среднюю
плотность по подсчетам числа
микродефектов в нескольких полях зрения
микроскопа; структурные дефекты обычно
выявляют и минимизируют при отработке
технологического процесса.
8. Эпитаксиаль-
ное
наращивание
слоя кремния.
Плотность дефектов
упаковки и дислокаций
более допустимой (а);
значения ρ
v
и толщины
эпитаксиального слоя не
соответствуют допустимым
(б).
Наличие на поверхности пластины
различного рода загрязнений,
механических нарушений и т.д. (а,
б); кристаллографическое
несоответствие и разная степень
легирования пластины и
эпитаксиальной пленки, а также
высокий уровень механических и
термических напряжений (а, б);
несоблюдение режима процесса
эпитаксии (а, б).
Дефекты роста типа пирамид, бугорков и др.
появляются на поверхности пластин при
высоких уровнях легирования
эпитаксиального слоя либо при наличии
инородных частиц на поверхности пластины. 
                                                                                                          Продолжение табл. П.3.
      1                          2                                 3                                      4
7. Диффузия       Величина боковой диффузии        Скопление дислокаций в            На границах диффузионных областей при
примесей в        более допустимой (а);            приповерхностном слое (а, в, д);  высоком уровне легирования возможно
кремний.          наличие эрозии (б);              завышение расхода диффузанта в    появление внеконтурных дислокаций
                  неравномерность                  технологической среде при         несоответствия; краевые и винтовые
                  диффузионного фронта по          отсутствии кислорода (б, в, г);   дислокации возможны, если уровень
                  глубине более допустимой         неоптимален температурно-         напряжений кристаллической решетки (из-за
                  (в); образование                 временной режим процесса          отличия размеров атомов примеси и
                  промежуточных фаз на             диффузии (д); нарушение           полупроводника) превышает предел
                  поверхности диффузионных         герметичности системы подачи      текучести материала; микродефекты и линии
                  областей (г); значения ρs и Xj   газов (б, в).                     скольжения выявляют селективным
                  и их разброс по пластине не                                        травлением и определяют их среднюю
                  соответствуют допустимым                                           плотность по подсчетам числа
                  (д).                                                               микродефектов в нескольких полях зрения
                                                                                     микроскопа; структурные дефекты обычно
                                                                                     выявляют и минимизируют при отработке
                                                                                     технологического процесса.
8. Эпитаксиаль-   Плотность дефектов               Наличие на поверхности пластины Дефекты роста типа пирамид, бугорков и др.
ное               упаковки и дислокаций            различного рода загрязнений,      появляются на поверхности пластин при
наращивание       более допустимой (а);            механических нарушений и т.д. (а, высоких уровнях легирования
слоя кремния.     значения ρv и толщины            б); кристаллографическое          эпитаксиального слоя либо при наличии
                  эпитаксиального слоя не          несоответствие и разная степень   инородных частиц на поверхности пластины.
                  соответствуют допустимым         легирования пластины и
                  (б).                             эпитаксиальной пленки, а также
                                                   высокий уровень механических и
                                                   термических напряжений (а, б);
                                                   несоблюдение режима процесса
                                                   эпитаксии (а, б).


                                                                  132

Страницы