Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 13 стр.

UptoLike

13
Способ проекционной печати требует двух
комплементарных масок на каждый рисунок, которые должны
позиционироваться с очень высокой точностью относительно
друг друга. Сфокусированный ионный пучок может создавать
радиационные дефекты в подложке. Эти недостатки делают
ионную литографию менее развитой, по сравнению с методом
электронно-лучевой литографии.
1.1.4. Рентгеновская литография
Рентгеновская литография является способом
формирования заданной топологии ИМС с помощью
рентгеновского излучения с высоким разрешением. Для
экспонирования используется низкоэнергетическое
рентгеновское излучение с энергией фотонов 0,5 10 кэВ, при
поглощении которого в слое резиста происходит образование
или разрыв межмолекулярных связей. Резисты для
рентгеновской литографии обладают высокой разрешающей
способностью и могут быть как позитивными, так и
негативными. Основная проблема рентгеновской литографии
состоит в изготовлении сложной структуры шаблона, которая
должна иметь тонкую, но прочную основу, прозрачную для
рентгеновского излучения. Для этих целей используют
органические и неорганические мембраны. Формирование
структур ИМС высокого качества обеспечивается за счет
наличия высокоинтенсивного коллимированного источника,
высокоточного совмещения шаблона с подложкой,