Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 14 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

прецизионного контроля зазора, недорогого шаблона.

Рентгенолитография может быть осуществлена с помощью

пучка фотонов с λ ~ 1 нм, в качестве которого используется

синхротронное излучение [12, 13].

К достоинствам рентгенолитографии относятся: высокая

разрешающая способность, МР может составлять порядка 50 нм,

отсутствие контакта шаблона с резистом, что снижает уровень

дефектов и повышает срок службы шаблонов. Наиболее

критичными проблемами рентгенолитографии являются

трудность изготовления шаблонов высокого качества,

применение мощного и громоздкого источника рентгеновского

излучения, высокая его стоимость, трудности фокусировки

рентгеновского излучения с помощью зеркал или линз.

Основным ограничением этого метода для массового

использования является необходимость, предварительного

изготовления высокоточных шаблонов.

1.1.5. Литография в экстремальном ультрафиолете

Дальнейшее уменьшение МР элементов интегральных схем

возможно путем применения оптической литографии на длине

волны 13,5 нм (экстремальный ультрафиолет, ЭУФ). В качестве

источника ЭУФ-излучения используется плазма газового

разряда.

Для ЭУФ-литографии проблемы уменьшения размеров

создаваемых элементов связаны со сложностью фокусировки

изображения УФ-излучения длиной волны 13,4 нм, так как в