Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 15 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

этом диапазоне длин волн прозрачных материалов практически

нет, и фокусировка осуществляется с помощью полностью

отражающей оптики, к которой предъявляются очень жесткие

требования. Жесткие требования также предъявляются к

источнику излучения, в качестве которого, например, может

быть лазер-плазменное излучение мощностью порядка 115 Вт.

При такой мощности источника не допустимо разбрызгивание

вещества из источника и других элементов системы, что может

приводить к загрязнению зеркал и подложки. ЭУФ-литографии

имеет ряд проблем, связанных с точностью совмещения,

разработкой новых материалов резистивных масок, созданием

низкодефектных отражающих шаблонов, высокой сложностью и

стоимостью литографического оборудования [2, 5]. Хотя методу

ЭУФ-литографии свойственно большое количество проблем,

ограничивающих внедрение этой технологии в

производственный процесс, большое количество работ по

разработкам в этой области показывают, что

высокопроизводительные ЭУФ-системы очень скоро появятся и

обеспечат производство ИМС с характерными размерами 50 и

35 нм [5, 14, 15].

1.1.6. Нанопечатная литография

Метод нанопечатной литографии (НПЛ) представляет

собой новый эффективный нелучевой метод формирования

наноструктур с высокой скоростью. Основным достоинством