Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 49 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

49
Зависимость напряженности электрического поля от r
показана на рис. 2.4. Анализ полученной зависимости
показывает, что при приложении напряжения 10 В и расстоянии
зонд-подложка 0,5 нм напряженность электрического поля
составляет порядка 10
8
В/см и сильно зависит от расстояния
зонд-подложка.
Рис. 2.4. Распределение напряженности поля в зоне воздействия
электронного луча при ЛАО титана: 1 – z = 0,5 нм, U = 10 В;
2 – z = 0,5 нм, U = 7 В; 3 – z = 1 нм, U = 10 В; 4 – z = 1 нм, U = 7 В
Для расчета плотности тока в зазоре зонд-подложка
воспользуемся законом Фаулера–Нордгейма, определяющим
плотность тока автоэлектронной эмиссии от напряжения [72]:
)(
)(
10834,6exp
)(
1055,1)(
2
3
7
2
6
rE
rQ
rE
ri
,
(2.19)
где
2
8
)(
107,10935,0)(
rE
rQ
. В расчетах предполагалось, что
работа выхода Si кантилевер c W
2
C покрытием составляет
= 5
эВ [73].

Страницы