Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 50 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ЮФУ | Ростов-на-Дону

Составители: 

Рубрика: 

50
На рис. 2.5 представлен график распределения плотности
тока автоэлектронной эмиссии АСМ зонда от радиуса
электронного луча.
Рис. 2.5. Распределение плотности тока электронной эмиссии
вдоль поверхности подложки: 1 – z = 0,5 нм, U = 10 В; 2 – z = 0,5
нм,
U = 7 В; 3 – z = 1 нм, U = 10 В; 4 – z = 1 нм, U = 7 В
Для расчета пространственного распределения поглощенной
мощности P(r,z) использовалась формула [70]:
2
2
2
0
)(
exp)(),(
2
m
m
m
z
zz
r
r
rPzrP .
(2.20)
)/(1
)()1(2
)(
mmm
m
ZzerfZ
rqW
rP
,
(2.21)
где
mm
Zz /
– относительное положение максимума
распределения поглощенных электронов;
/
mm
zZ
–

Страницы