Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 51 стр.

UptoLike

51
полуширина распределения поглощенных электронов;
m
z
проецированный пробег электронов;
4,05,0
W – доля энергии,
уносимая упруго отраженными электронами;
коэффициент
обратного рассеяния электронов ля Ti
=0,263 [8]). Анализ
функции источника показывает, что мощность электронного луча
при проведении ЛАО поглощается полностью в очень тонком
приповерхностном слое пленки титана, что вызывает разогрев
локальной области. Температура этой области сильно зависит от
режима ЛАО мплитуды напряжения и расстояния зонд-
подложка).
Рис. 2.6. Распределение температуры в пленке титана при ЛАО
(z = 0,5 нм, U = 10 В)
В результате проведенных расчетов показано, что при
приложении напряжения к системе зонд-подложка при ЛАО
поверхности пленки титана происходит автоэлектронная эмиссия
электронов с зонда в подложку, при этом выделяется мощность,
которая поглощается в приповерхностном слое пленки титана, что