Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 58 стр.

UptoLike

Составители:

Рубрика:

Рис. 2.8. Зависимость скорости роста ОНС титана от толщины

окисла при влажности 70 %: 1 – расчитанная;

2 – экспериментальная; 3 – при ИК-стимуляции; 4 – при

УФ-стимуляции

Рис. 2.9. Зависимость высоты ОНС от времени проведения ЛАО

при различной влажности воздуха: 1 – 50 %; 2 – 70 %; 3 – 90 %;