ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
8
помощью системы линз, управляя прохождением фотонов через
маску фоторезиста.
Теоретически, минимальный размер, который может быть
получен, зависит от дифракции света. Разрешение r
определяется критерием Релея (1), значением числовой
апертуры (NA) оптических линз и длиной волны излучения λ,
используемого для облучения резиста.
NA
r
61,0 .
(1.1)
В современной оптической литографии используется
глубокое УФ-излучение с λ порядка 200-300 нм, источником
которого служат эксимерные газовые лазеры или ртутно-
ксеноновые лампы. Наиболее широкое применение получили
эксимерные газовые лазеры на молекулах KrF, ArF и F c λ
порядка 248, 193 и 157 нм соответственно. Лазеры на этих
молекулах дают импульсы длительностью 5 - 20 нс с частотой
повторения 4 кГц и мощностью до 50 Вт [1].
Важной частью при проведении оптической
фотолитографии является изготовление фотошаблона с
необходимой структурой, а также нанесение на поверхность
подложки фоточувствительного слоя – фоторезиста. Затем
изображение фотошаблона проецируется на поверхность
фоторезиста с уменьшением в несколько раз с помощью
оптической системы. Данную операцию выполняют на
установке проекционного переноса изображения с
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 6
- 7
- 8
- 9
- 10
- …
- следующая ›
- последняя »
