Методы формирования структур элементов наноэлектроники и наносистемной техники - 9 стр.

UptoLike

9
одновременным совмещением. Для формирования топологии на
поверхности подложки, кроме степперов, используют сканеры, с
помощью которых проецируют изображение фотошаблона в
режиме сканирования при пошаговом перемещении подложки.
Степперы и сканеры являются очень сложным и дорогостоящим
технологическим оборудованием для производства
современных СБИС [5]. Далее проэкспонированные участки
фоторезиста стравливают селективным химическим травителем.
Известно, что использование оптической литографии
предопределяет физический предел миниатюризации,
составляющий порядка 100 нм, однако существуют компании
(например, Интел), которые намерены продолжить
использование иммерсионной оптической литографии = 193
нм) в производстве ИМС вплоть до МР 16 нм [6].
1.1.2. Электронно-лучевая литография
Электронно-лучевая литография (ЭЛЛ) является
уникальным способом структурирования поверхности подложек
заданного рельефа или топологии с помощью электронного
луча. ЭЛЛ может быть реализована двумя способами:
прекционным с использованием шаблонов, и сканирующим
путем обработки электронного резиста сфокусированныи
электронным лучем (обычно используется наиболее
чувствительный полимерный электронный резист полиметил-
метакрилат – ПММА). Характерное разрешение ЭЛЛ составляет
при этом порядка 20 и 2 нм соответственно [7, 8].