Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 100 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

100
Рис. 2. Фрагменты поэтапного формирования структуры БИС 1051ХА3:
а – окисление исходной пластины;
б – фотолитография 1 по слою SiO
2
перед диффузией сурьмы;
в – 2-я стадия диффузии сурьмы для формирования скрытых n
+
- слоев;
г – ионное внедрение бором для формирования донной части разделительных
p
+
-областей;
д – эпитаксиальное наращивание n – слоя кремния;
е – фотолитография 3 для вскрытия окон перед диффузией фосфора;
ж – 2-я стадия диффузии фосфора для формирования вертикальных n
+
- слоев; 
Рис. 2. Фрагменты поэтапного формирования структуры БИС 1051ХА3:
а – окисление исходной пластины;
б – фотолитография 1 по слою SiO2 перед диффузией сурьмы;
в – 2-я стадия диффузии сурьмы для формирования скрытых n+ - слоев;
г – ионное внедрение бором для формирования донной части разделительных
    p+-областей;
д – эпитаксиальное наращивание n – слоя кремния;
е – фотолитография 3 для вскрытия окон перед диффузией фосфора;
ж – 2-я стадия диффузии фосфора для формирования вертикальных n+- слоев;
                                 100

Страницы