Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 102 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

102
Продолжение рисунка 2:
н – удаление боросиликатного стекла и SiO
2
после 1-й стадии диффузии бора
(для формирования базовых областей и p
+
- областей инжекционных
элементов);
о – 2-я стадия диффузии бора для формирования базовых областей и p
+
-
областей нжекционных элементов с окислением пластин;
п – фотолитография 7 под диффузию фосфора (перед формированием n
+
-
областей);
р – окисление после 1-й стадии диффузии фосфора (для формирования
эмиттерных, коллекторных приконтактных областей и n
+
- областей
инжекционных элементов);
с – фотолитография 8 для вскрытия окон под контакты к элементам БИС; 
Продолжение рисунка 2:
н – удаление боросиликатного стекла и SiO2 после 1-й стадии диффузии бора
    (для формирования базовых областей и p+- областей инжекционных
    элементов);
о – 2-я стадия диффузии бора для формирования базовых областей и p+-
    областей     нжекционныхэлементов с окислением пластин;
п – фотолитография 7 под диффузию фосфора (перед формированием n+-
    областей);
р – окисление после 1-й стадии диффузии фосфора (для формирования
    эмиттерных, коллекторных приконтактных областей и n+- областей
    инжекционных элементов);
с – фотолитография 8 для вскрытия окон под контакты к элементам БИС;
                                  102

Страницы