Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 103 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

103
Окончание рисунка 2:
т – фотолитография 9 по слою металлизации для формирования 1-го уровня
коммутации;
у – плазмохимическое осаждение межслойной изоляции;
ф – фотолитография 10 по межслойному диэлектрику для обеспечения
межслойной коммутации;
х – фотолитография 12 по слою пассивации для вскрытия окон к контактным
площадкам БИС. 
Окончание рисунка 2:
т – фотолитография 9 по слою металлизации для формирования 1-го уровня
    коммутации;
у – плазмохимическое осаждение межслойной изоляции;
ф – фотолитография 10 по межслойному диэлектрику для обеспечения
    межслойной коммутации;
х – фотолитография 12 по слою пассивации для вскрытия окон к контактным
    площадкам БИС.

                                 103

Страницы