Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 105 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

Таблица 1
Основные сведения об элементах структур полупроводниковых ИС и БИС
Элементы структуры
Тип
прово-
димос-
ти
Основные
технологические
материалы для
получения
элементов
структуры
Толщина элементов
структуры (мкм) и
обозначение
Удельное
поверхностное
сопротивление
(Ом/ )
Примечания
1 2 3 4 5 6
Подложка из
монокристаллического
кремния
Р Очищенный
поликристалличес-
кий Si,
легирующая
примесь – бор
H
1
=525 ± 25
- КДБ-10 получают направленной кристаллизацией
на затравку из объема расплава основных
технологических материалов
(поликристаллического кремния и легирующей
примеси)
Скрытый слой n
+
Сурьма
кристаллическая
H
2
= 3,5 ± 0,2 25 ± 5
Получают диффузией
Эпитаксиальный слой n SiCl
4
и H
2
H
3
= 7,9 ± 0,2
- Осаждение из газовой фазы (хлоридный метод)
Разделительная
область
p BBr
3
H
4
= 10 ± 0,2 90 ± 8
Получают диффузией (для ИС); сочетанием
ионного легирования и диффузии (для БИС) 
                                                                                                                         Таблица 1
                          Основные сведения об элементах структур полупроводниковых ИС и БИС




                                    Основные
                        Тип      технологические                           Удельное
                                                    Толщина элементов
                       прово-     материалы для                          поверхностное
Элементы структуры                                   структуры (мкм) и                                      Примечания
                       димос-       получения                            сопротивление
                                                        обозначение
                         ти         элементов                                (Ом/ )
                                    структуры
         1               2               3                 4                  5                                  6
Подложка из              Р      Очищенный              H1=525 ± 25            -          КДБ-10 получают направленной кристаллизацией
монокристаллического            поликристалличес-                                        на затравку из объема расплава основных
кремния                         кий Si,                                                  технологических материалов
                                легирующая                                               (поликристаллического кремния и легирующей
                                примесь – бор                                            примеси)
Скрытый слой             n+     Сурьма                 H2 = 3,5 ± 0,2       25 ± 5       Получают диффузией
                                кристаллическая
Эпитаксиальный слой      n           SiCl4 и H2        H3 = 7,9 ± 0,2         -          Осаждение из газовой фазы (хлоридный метод)
Разделительная           p              BBr3           H4 = 10 ± 0,2        90 ± 8       Получают диффузией (для ИС); сочетанием
область                                                                                  ионного легирования и диффузии (для БИС)

Страницы