Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 106 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

106
1 2 3 4 5 6
Базовая область p
+
( p )
*
BBr
3
H
5
= 1,65 ± 0,1 180 ± 10
( 110 ± 10)
***
Получают диффузией (для ИС); для БИС с
инжекционными элементами получают ионным
легированием и диффузией
Эмиттерная область n
+
POCl
3
H
6
= 1,2 ± 0,1 9 ± 1
Получают диффузией
Слой металлизации - Сплав
( Al + 1,2% Si )
H
7
= 0,6 ± 0,1
( 1,0 ± 0,1 )
**
- Наносят в вакууме, например, методом ионно-
плазменного распыления
Изолирующий слой
SiO
2
- O
2
– сухой, пары
воды
H
8
= 0,8 ± 0,05
(0,6 ± 0,05)
***
- Термическое окисление кремния
Пассивирующий слой
ФСС
- SiH
4
, PH
H
9
= 0,7 ± 0,05
- Осаждение из газовой фазы (пиролиз)
Вертикальный слой n
+
POCl
3
H
10
= 6,8 ± 0,2 45 ± 5
Получают диффузией
SiO
2
межслойной
изоляции
- Si(OC
2
H
5
)
4
, O
2
H
11
= 1,0 ± 0,1
- Плазмохимическое осаждение
• - тип проводимости для ИС;
** - для 2-го слоя металлизации;
*** - для БИС. 
          1             2             3                   4                  5                                6
Базовая область         p+           BBr3          H5 = 1,65 ± 0,1        180 ± 10      Получают диффузией (для ИС); для БИС с
                      ( p )*                                           ( 110 ± 10)***   инжекционными элементами получают ионным
                                                                                        легированием и диффузией
Эмиттерная область     n+            POCl3         H6 = 1,2 ± 0,1          9±1          Получают диффузией
Слой металлизации       -            Сплав         H7 = 0,6 ± 0,1           -           Наносят в вакууме, например, методом ионно-
                                ( Al + 1,2% Si )    ( 1,0 ± 0,1 )**                     плазменного распыления
Изолирующий слой        -      O2 – сухой, пары    H8 = 0,8 ± 0,05           -          Термическое окисление кремния
SiO2                                 воды          (0,6 ± 0,05)***
Пассивирующий слой      -          SiH4 , PH       H9 = 0,7 ± 0,05           -          Осаждение из газовой фазы (пиролиз)
ФСС
Вертикальный слой      n+          POCl3           H10 = 6,8 ± 0,2        45 ± 5        Получают диффузией
SiO2 межслойной         -      Si(OC2H5)4 , O2     H11 = 1,0 ± 0,1          -           Плазмохимическое осаждение
изоляции


    • - тип проводимости для ИС;
 ** - для 2-го слоя металлизации;
 *** - для БИС.




                                                                 106

Страницы