Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 108 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

108
Форма таблицы 3
Технологические операции изготовления полупроводниковой ИС (133ЛАЗ)
Изделие 1 Вариант
№№ п. п.
Наименование операции,
выполненной на образце
Номер операции в
табл. П.1.
Виды брака
Причины брака Номер образца в кассете
Форма таблицы 4
Технологические операции изготовления полупроводниковой БИС (1051ХАЗ)
Изделие 2 Вариант
№№ п. п.
Наименование операции,
выполненной на образце
Номер операции в
табл. П.1.2
Виды брака
Причины брака Номер образца в кассете
Форма таблицы 5
Результаты определения толщины диффузионного слоя
Толщина диффузионного слоя , X
J
мкм Образец № 2
( Кассета 1)
Образец с шаровым шлифом
Форма таблицы 6
Результаты определения толщины окисла
Образец № 2
( кассета 1 )
Цвет Порядок интерференции Толщина окисла, мкм Назначение данного
окисла в ИС (БИС)
Образец с клином
травления в SiO
2
                                                                                                         Форма таблицы 3
                   Технологические операции изготовления полупроводниковой ИС (133ЛАЗ)
                                         Изделие 1                       Вариант
             Наименование операции,      Номер операции в         Виды брака
№№ п. п.                                                                           Причины брака     Номер образца в кассете
             выполненной на образце          табл. П.1.


                                                                                                         Форма таблицы 4
                  Технологические операции изготовления полупроводниковой БИС (1051ХАЗ)
                                         Изделие 2                       Вариант
             Наименование операции,      Номер операции в         Виды брака
№№ п. п.                                                                           Причины брака     Номер образца в кассете
             выполненной на образце          табл. П.1.2


                                                                                                         Форма таблицы 5
                             Результаты определения толщины диффузионного слоя
         Образец № 2                                        Толщина диффузионного слоя , XJ мкм
         ( Кассета 1)
  Образец с шаровым шлифом

                                                                                                         Форма таблицы 6
                                      Результаты определения толщины окисла
       Образец № 2                Цвет             Порядок интерференции       Толщина окисла, мкм    Назначение данного
        ( кассета 1 )                                                                                 окисла в ИС (БИС)
     Образец с клином
     травления в SiO2




                                                            108

Страницы