ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
110
производстве полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах.
Порядок выполнения работы
Работа может выполняться в соответствии с несколькими заданиями.
I. Изучение последовательности операций процесса изготовления
полупроводниковых микросхем.
1. Определить наименование операции, выполненных на пластинах 1 – 10
изделия 1. Для этого необходимо:
- получить у лаборанта две кассеты с макетными образцами;
- включить микроскоп, настроить его и с его помощью внимательно
рассмотреть образцы 1-10 изделия 1, при этом расположить рассмотренные
образцы в последовательности выполнения операций, указанных в табл. П.1. и с
учетом последовательности изготовления самих подложек (пластин).
Примечания. 1) При выборе последовательности операций следует
учитывать усложнение рисунка на примере простейшего транзистора и увеличение
количества фигур совмещения.
2) Следует запомнить цвет чистого кремния, поместив полированный
образец в поле обзора микроскопа.
3) Цвет окисла может быть различным в зависимости от его толщины.
Однако, области, формируемые одновременно при высокой температуре (выше
900
О
С в открытой или полуоткрытой системе), имеют всегда одинаковый цвет
окисла.
4) Если на образце выполнена одна из фотолитографий по слою окисла (с
травлением окисла для вскрытия в нем окон к поверхности кремния), то в поле
обзора микроскопа будут видны области чистого кремния.
2. Наименование операций, в последовательности от самой простой
структуры ИС (из имеющихся образцов) до полностью изготовленной структуры
ИС занести в форму таблицы 3.
Примечания. 1) Образцы, представляющие процесс изготовления пластин,
кассеты №1 рассмотреть и описать в последовательности: резка слитка кремния на
пластины, механическая шлифовка пластин кремния, механическая полировка
пластин кремния.
2) Правильное наименование операций для образцов с элементами
структуры ИС указано в таблице П.1.
3) Образцы 11 и 12 (контрольные) при определении наименования и
последовательности операций не рассматривать.
3. Аналогично п.1 определить наименование и последовательность
технологических операций, выполненных на образцах 1 – 12 изделия 2 (кассеты №
2), пользуясь сведениями таблицы П.2.
4. Наименование операций в последовательности от простой структуры до
полностью изготовленной структуры БИС занести в форму таблицы 4.
II. Изучение технологических операций производства
полупроводниковых микросхем.
1. Виды и причины брака занести в форму таблиц 3 и 4, используя сведения
таблицы П.2.
производстве полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах. Порядок выполнения работы Работа может выполняться в соответствии с несколькими заданиями. I. Изучение последовательности операций процесса изготовления полупроводниковых микросхем. 1. Определить наименование операции, выполненных на пластинах 1 – 10 изделия 1. Для этого необходимо: - получить у лаборанта две кассеты с макетными образцами; - включить микроскоп, настроить его и с его помощью внимательно рассмотреть образцы 1-10 изделия 1, при этом расположить рассмотренные образцы в последовательности выполнения операций, указанных в табл. П.1. и с учетом последовательности изготовления самих подложек (пластин). Примечания. 1) При выборе последовательности операций следует учитывать усложнение рисунка на примере простейшего транзистора и увеличение количества фигур совмещения. 2) Следует запомнить цвет чистого кремния, поместив полированный образец в поле обзора микроскопа. 3) Цвет окисла может быть различным в зависимости от его толщины. Однако, области, формируемые одновременно при высокой температуре (выше 900ОС в открытой или полуоткрытой системе), имеют всегда одинаковый цвет окисла. 4) Если на образце выполнена одна из фотолитографий по слою окисла (с травлением окисла для вскрытия в нем окон к поверхности кремния), то в поле обзора микроскопа будут видны области чистого кремния. 2. Наименование операций, в последовательности от самой простой структуры ИС (из имеющихся образцов) до полностью изготовленной структуры ИС занести в форму таблицы 3. Примечания. 1) Образцы, представляющие процесс изготовления пластин, кассеты №1 рассмотреть и описать в последовательности: резка слитка кремния на пластины, механическая шлифовка пластин кремния, механическая полировка пластин кремния. 2) Правильное наименование операций для образцов с элементами структуры ИС указано в таблице П.1. 3) Образцы 11 и 12 (контрольные) при определении наименования и последовательности операций не рассматривать. 3. Аналогично п.1 определить наименование и последовательность технологических операций, выполненных на образцах 1 – 12 изделия 2 (кассеты № 2), пользуясь сведениями таблицы П.2. 4. Наименование операций в последовательности от простой структуры до полностью изготовленной структуры БИС занести в форму таблицы 4. II. Изучение технологических операций производства полупроводниковых микросхем. 1. Виды и причины брака занести в форму таблиц 3 и 4, используя сведения таблицы П.2. 110
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 108
- 109
- 110
- 111
- 112
- …
- следующая ›
- последняя »