Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 110 стр.

UptoLike

Составители: 

110
производстве полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах.
Порядок выполнения работы
Работа может выполняться в соответствии с несколькими заданиями.
I. Изучение последовательности операций процесса изготовления
полупроводниковых микросхем.
1. Определить наименование операции, выполненных на пластинах 1 10
изделия 1. Для этого необходимо:
- получить у лаборанта две кассеты с макетными образцами;
- включить микроскоп, настроить его и с его помощью внимательно
рассмотреть образцы 1-10 изделия 1, при этом расположить рассмотренные
образцы в последовательности выполнения операций, указанных в табл. П.1. и с
учетом последовательности изготовления самих подложек (пластин).
Примечания. 1) При выборе последовательности операций следует
учитывать усложнение рисунка на примере простейшего транзистора и увеличение
количества фигур совмещения.
2) Следует запомнить цвет чистого кремния, поместив полированный
образец в поле обзора микроскопа.
3) Цвет окисла может быть различным в зависимости от его толщины.
Однако, области, формируемые одновременно при высокой температуре (выше
900
О
С в открытой или полуоткрытой системе), имеют всегда одинаковый цвет
окисла.
4) Если на образце выполнена одна из фотолитографий по слою окисла (с
травлением окисла для вскрытия в нем окон к поверхности кремния), то в поле
обзора микроскопа будут видны области чистого кремния.
2. Наименование операций, в последовательности от самой простой
структуры ИС (из имеющихся образцов) до полностью изготовленной структуры
ИС занести в форму таблицы 3.
Примечания. 1) Образцы, представляющие процесс изготовления пластин,
кассеты 1 рассмотреть и описать в последовательности: резка слитка кремния на
пластины, механическая шлифовка пластин кремния, механическая полировка
пластин кремния.
2) Правильное наименование операций для образцов с элементами
структуры ИС указано в таблице П.1.
3) Образцы 11 и 12 (контрольные) при определении наименования и
последовательности операций не рассматривать.
3. Аналогично п.1 определить наименование и последовательность
технологических операций, выполненных на образцах 1 12 изделия 2 (кассеты
2), пользуясь сведениями таблицы П.2.
4. Наименование операций в последовательности от простой структуры до
полностью изготовленной структуры БИС занести в форму таблицы 4.
II. Изучение технологических операций производства
полупроводниковых микросхем.
1. Виды и причины брака занести в форму таблиц 3 и 4, используя сведения
таблицы П.2.
      производстве полупроводниковых микросхем на биполярных транзисторах.

       Порядок выполнения работы
       Работа может выполняться в соответствии с несколькими заданиями.
             I. Изучение последовательности операций процесса изготовления
                           полупроводниковых микросхем.
       1. Определить наименование операции, выполненных на пластинах 1 – 10
изделия 1. Для этого необходимо:
        - получить у лаборанта две кассеты с макетными образцами;
        - включить микроскоп, настроить его и с его помощью внимательно
рассмотреть образцы 1-10 изделия 1, при этом расположить рассмотренные
образцы в последовательности выполнения операций, указанных в табл. П.1. и с
учетом последовательности изготовления самих подложек (пластин).
       Примечания. 1) При выборе последовательности операций следует
учитывать усложнение рисунка на примере простейшего транзистора и увеличение
количества фигур совмещения.
       2) Следует запомнить цвет чистого кремния, поместив полированный
образец в поле обзора микроскопа.
       3) Цвет окисла может быть различным в зависимости от его толщины.
Однако, области, формируемые одновременно при высокой температуре (выше
900ОС в открытой или полуоткрытой системе), имеют всегда одинаковый цвет
окисла.
       4) Если на образце выполнена одна из фотолитографий по слою окисла (с
травлением окисла для вскрытия в нем окон к поверхности кремния), то в поле
обзора микроскопа будут видны области чистого кремния.
       2. Наименование операций, в последовательности от самой простой
структуры ИС (из имеющихся образцов) до полностью изготовленной структуры
ИС занести в форму таблицы 3.
       Примечания. 1) Образцы, представляющие процесс изготовления пластин,
кассеты №1 рассмотреть и описать в последовательности: резка слитка кремния на
пластины, механическая шлифовка пластин кремния, механическая полировка
пластин кремния.
       2) Правильное наименование операций для образцов с элементами
структуры ИС указано в таблице П.1.
       3) Образцы 11 и 12 (контрольные) при определении наименования и
последовательности операций не рассматривать.
       3. Аналогично п.1 определить наименование и последовательность
технологических операций, выполненных на образцах 1 – 12 изделия 2 (кассеты №
2), пользуясь сведениями таблицы П.2.
       4. Наименование операций в последовательности от простой структуры до
полностью изготовленной структуры БИС занести в форму таблицы 4.

                 II. Изучение технологических операций производства
                         полупроводниковых микросхем.
      1. Виды и причины брака занести в форму таблиц 3 и 4, используя сведения
таблицы П.2.



                                     110