Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 112 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

112
6. Назовите виды брака, которые могут наблюдаться на пластинах и каковы
причина их появления?
7. Какие виды технологического брака Вам известны?
8. С какой целью проводится двухстадийная диффузия?
9. Почему приконтактные области n-Si – металл легируются до n
+
?
10. Почему изолирующие слои SiO
2
на поверхности полупроводниковой БИС
получают с применением разных технологий?
11. На какой операции формируются резисторы полупроводниковой ИС?
12. С какой целью эмиттер легируется до n
+
?
13. Каково назначение фоторезиста и почему в данной работе для ИС и БИС
использовались разные фоторезисты?
14. Из каких соображений выбирается толщина подложки и эпитаксиального
слоя?
15. Из каких соображений выбирается удельное сопротивление подложки и
эпитаксиального слоя?
16. Для чего нужен эпитаксиальный слой? Почему коллекторный слой не
формируют просто диффузией, а наращивают эпитаксией?
17. Каково назначение перемычек в полупроводниковой ИС и каким образом
они формируются?
18. С какой целью в изделии 2 используется ионное легирование?
19. Каким образом реализуется структура n
+
-p-n и p
+
-n-p транзисторов в p-типа
подложке?
20. С какой целью термическое окисление проводят по системе: сухой O
2
– пары
воды – сухой O
2
?
21. Какие пленки в технологии полупроводниковой ИС называются
эпитаксиальными? Назовите методы эпитаксиального наращивания.
22. Изобразите распределение примеси в диффузионном слое по его глубине для
одно- и двухстадийной диффузии. 
6. Назовите виды брака, которые могут наблюдаться на пластинах и каковы
    причина их появления?
7. Какие виды технологического брака Вам известны?
8. С какой целью проводится двухстадийная диффузия?
9. Почему приконтактные области n-Si – металл легируются до n+?
10. Почему изолирующие слои SiO2 на поверхности полупроводниковой БИС
    получают с применением разных технологий?
11. На какой операции формируются резисторы полупроводниковой ИС?
12. С какой целью эмиттер легируется до n+?
13. Каково назначение фоторезиста и почему в данной работе для ИС и БИС
    использовались разные фоторезисты?
14. Из каких соображений выбирается толщина подложки и эпитаксиального
    слоя?
15. Из каких соображений выбирается удельное сопротивление подложки и
    эпитаксиального слоя?
16. Для чего нужен эпитаксиальный слой? Почему коллекторный слой не
    формируют просто диффузией, а наращивают эпитаксией?
17. Каково назначение перемычек в полупроводниковой ИС и каким образом
    они формируются?
18. С какой целью в изделии 2 используется ионное легирование?
19. Каким образом реализуется структура n+-p-n и p+-n-p транзисторов в p-типа
    подложке?
20. С какой целью термическое окисление проводят по системе: сухой O2 – пары
    воды – сухой O2?
21. Какие пленки в технологии полупроводниковой ИС называются
    эпитаксиальными? Назовите методы эпитаксиального наращивания.
22. Изобразите распределение примеси в диффузионном слое по его глубине для
    одно- и двухстадийной диффузии.




                                   112

Страницы