Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 113 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

Приложение 5.
Таблица П.1.
Основные операции технологического маршрута для изготовления структуры ИС на биполярных транзисторах
(Изделие 1 – 133ЛАЗ).
№№
п .п .
Наименование операции
Контролируемые
параметры
технологической
среды (ТС)
Контролируемые
параметры объекта
производства
Материалы
технологических и
защитных сред
Технологическое
оборудование
1 2 3 4 5 6
1 . Химическая обработка
пластин кремния (тип КДБ-
10) .
Время (t) обработки
в разных средах.
Температура (T) ТС.
Внешний вид
пластин после
очистки (по
количеству
светящихся точек
в темном поле
микроскопа)
Толуол, смесь Каро
(смесь H
2
SO
4
и H
2
O
2
),
перекисно-аммиачная
смесь; вода
деионизованная марки
А, кислота
фтористоводородная,
cпирт этиловый
ректификат; батист
отбеленный
мерсеризованный.
Линия «Лада-Электроника»
для хим. обработки;
микроскоп, например, типа
НУ-2Е.
2 . Окисление пластин кремния
(выращивание SiO2) по
системе:
сухой O2 – пары воды –
сухой O2 при T=1050'С
T, t, расход газов
(Мг)
Толщина окисла (h)
Кислород
газообразный, азот
газообразный, вода
деионизованная марки
А (при необходимости
10% HF), фильтр
обеззоленный, батист
отбеленный
мерсеризованный.
Печь диффузионная типа
ДОМ; прибор для измерения
толщины окисла, например,
эллипсометр. 
                                                 Приложение 5.
                                                                                                           Таблица П.1.
         Основные операции технологического маршрута для изготовления структуры ИС на биполярных транзисторах
                                                  (Изделие 1 – 133ЛАЗ).
                                   Контролируемые
                                                         Контролируемые         Материалы
№№                                    параметры                                                       Технологическое
         Наименование операции                          параметры объекта   технологических и
п .п .                             технологической                                                     оборудование
                                                           производства       защитных сред
                                      среды (ТС)
  1                 2                      3                    4                    5                        6
 1 . Химическая обработка        Время (t) обработки Внешний вид          Толуол, смесь Каро    Линия «Лада-Электроника»
       пластин кремния (тип КДБ- в разных средах.      пластин после      (смесь H2SO4 и H2O2), для хим. обработки;
       10) .                     Температура (T) ТС. очистки (по          перекисно-аммиачная микроскоп, например, типа
                                                       количеству         смесь; вода           НУ-2Е.
                                                       светящихся точек   деионизованная марки
                                                       в темном поле      А, кислота
                                                       микроскопа)        фтористоводородная,
                                                                          cпирт этиловый
                                                                          ректификат; батист
                                                                          отбеленный
                                                                          мерсеризованный.
 2 . Окисление пластин кремния T, t, расход газов      Толщина окисла (h) Кислород              Печь диффузионная типа
       (выращивание SiO2) по     (Мг)                                     газообразный, азот    ДОМ; прибор для измерения
       системе:                                                           газообразный, вода    толщины окисла, например,
       сухой O2 – пары воды –                                             деионизованная марки эллипсометр.
       сухой O2 при T=1050'С                                              А (при необходимости
                                                                          10% HF), фильтр
                                                                          обеззоленный, батист
                                                                          отбеленный
                                                                          мерсеризованный.

Страницы