Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 115 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

115
Продолжение табл. П.1.
1 2 3 4 5 6
5 . Удаление SiO
2
с
поверхности пластин (после
диффузии сурьмы).
T, t Внешний вид Травитель (65% HF), вода
деионизованная марки А; батист
отбеленный мерсеризованный.
Модули линии фотолитографии
"Лада - Электроника"
6 . Эпитаксиальное
наращивание слоя кремния
(n - Si) при T=1200
0
C.
T, t,
М
г
Толщина
эпитакс. слоя α,
Тетрахлорид кремния, водород
газообразный,
Установка эпитаксиального
наращивания типа «Эпиквар»;
7. Окисление пластин кремния
по системе: сухой O
2
- пары
воды - сухой O
2
(при T=1100
0
C).
Аналогично операции 2
Аналогично операции 3
8 . Фотолитография 2 для
вскрытия окон под
диффузию бора (перед
формированием
разделительных областей):
а) подготовка поверхности
пластин;
б) нанесение фоторезиста
(ФР);
в) сушка слоя ФР;
г) совмещение и
экспонирование;
д) проявление ФР;
е) задубливание ФР;
ж) травление SiO
2
;
з) удаление ФР.
Аналогично операции 3 
                                                                                                Продолжение табл. П.1.

1                   2             3          4                        5                                   6
5.   Удаление SiO2 с             T, t Внешний вид      Травитель (65% HF), вода          Модули линии фотолитографии
     поверхности пластин (после                        деионизованная марки А; батист    "Лада - Электроника"
     диффузии сурьмы).                                 отбеленный мерсеризованный.
6.   Эпитаксиальное              T, t, Толщина         Тетрахлорид кремния, водород      Установка эпитаксиального
     наращивание слоя кремния    Мг эпитакс. слоя α,   газообразный,                     наращивания типа «Эпиквар»;
                        0
     (n - Si) при T=1200 C.
7.   Окисление пластин кремния
     по системе: сухой O2 - пары
                                                                 Аналогично операции 2
     воды - сухой O2
     (при T=11000C).
8.   Фотолитография 2 для
     вскрытия окон под
     диффузию бора (перед
     формированием                                               Аналогично операции 3
     разделительных областей):
      а) подготовка поверхности
     пластин;                                                    Аналогично операции 3
      б) нанесение фоторезиста
     (ФР);
     в) сушка слоя ФР;
     г) совмещение и
     экспонирование;
     д) проявление ФР;
     е) задубливание ФР;
     ж) травление SiO2;
     з) удаление ФР.

                                                       115

Страницы