Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 114 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

114
Продолжение табл. П.1.
1 2 3 4 5 6
3 . Фотолитография 1 для
вскрытия окон под
диффузию сурьмы:
а) подготовка поверхности
пластин;
б) нанесение фоторезиста
(ФР);
в) сушка слоя ФР;
г) совмещение и
экспонирование;
д) проявление ФР;
е) задубливание;
ж) травление SiO
2
;
з) удаление ФР.
T, t, М
ж
(расхо
д
жидких
химреактивов),
с(доза
фоторезиста
при нанесении)
,п
ц
(число
оборотов
центрифуги в
минуту),
Внешний
вид,
линейные
размеры.
Фоторезист позитивный ФП-
РН-7, диметилформамид,
гексаметилдисизалан (адгезив
для фоторезиста), травильный
раствор.(для травления SiO
2
),
раствор для проявления (0,6%
KOH), вода деионизованная
марки А, смесь Каро, спирт
этиловый ректификат; фильтр
обеззоленный, батист
отбеленный мерсеризованный
Линия фотолитографии «Лада –
Электроника»; микроскоп УИМ – 25
4 . Диффузия сурьмы для
формирования скрытых n+
- слоев:
а) 1-я стадия диффузии
(загонка примеси при
T=1150'C);
б)удаление
сурьмяносиликатного
стекла;
в) 2-я стадия диффузии
(разгонка примеси в глубь
полупроводника при
T=12000C)
T, t, Мг Внешний
вид, Уд.
пов. сопр.
ρs
,
глубина
залегания
p-n
перехода
(толщина
диффузио
нного
слоя ) Xj
Азот газообразный (или аргон),
сурьма кристаллическая (в
ампулах), раствор для
выявления p-n перехода,
травильный раствор, спирт
этиловый ректификат, вода
деионизованная марки А;
батист отбеленный
мерсеризованный, фильтр
обеззоленный, алмазная паста
(на основе тонкого
микропорошка)
Печь диффузионная типа ДОМ;
установка для измерения ρ
s
(четырехзон
микроскоп типа МИМ-7; уста
новка
для получения шаро
вого шлифа;
модуль (для травления плас
тин) из
линии хим. обработки "Лада -
Электроника". 
                                                                                                          Продолжение табл. П.1.
1                  2                     3               4                       5                                 6
3.   Фотолитография 1 для        T, t, Мж(расход    Внешний       Фоторезист позитивный ФП-        Линия фотолитографии «Лада –
     вскрытия окон под           жидких             вид,          РН-7, диметилформамид,           Электроника»; микроскоп УИМ – 25
     диффузию сурьмы:            химреактивов),     линейные      гексаметилдисизалан (адгезив
     а) подготовка поверхности   с(доза             размеры.      для фоторезиста), травильный
     пластин;                    фоторезиста                      раствор.(для травления SiO2),
     б) нанесение фоторезиста    при нанесении)                   раствор для проявления (0,6%
     (ФР);                       ,пц(число                        KOH), вода деионизованная
     в) сушка слоя ФР;           оборотов                         марки А, смесь Каро, спирт
     г) совмещение и             центрифуги     в                 этиловый ректификат; фильтр
     экспонирование;             минуту),                         обеззоленный, батист
     д) проявление ФР;                                            отбеленный мерсеризованный
     е) задубливание;
     ж) травление SiO2;
     з) удаление ФР.
4.   Диффузия сурьмы для         T, t, Мг           Внешний       Азот газообразный (или аргон),   Печь диффузионная типа ДОМ;
     формирования скрытых n+                        вид, Уд.      сурьма кристаллическая (в        установка   для   измерения    ρs
     - слоев:                                       пов. сопр.    ампулах), раствор для            (четырехзондовая) типа ЦИУС;
      а) 1-я стадия диффузии                        ρs        ,   выявления p-n перехода,          микроскоп типа МИМ-7; установка
     (загонка примеси при                           глубина       травильный раствор, спирт        для получения шарового шлифа;
     T=1150'C);                                     залегания     этиловый ректификат, вода        модуль (для травления пластин) из
     б)удаление                                     p-n           деионизованная марки А;          линии хим. обработки "Лада -
     сурьмяносиликатного                            перехода      батист отбеленный                Электроника".
     стекла;                                        (толщина      мерсеризованный, фильтр
      в) 2-я стадия диффузии                        диффузио      обеззоленный, алмазная паста
     (разгонка примеси в глубь                      нного         (на основе тонкого
     полупроводника при                             слоя ) Xj     микропорошка)
     T=12000C)

                                                               114

Страницы