Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 111 стр.

       Примечание. Допускается для каждой операции указать один из видов брака
и его причину, однако, повторение описания одних и тех же дефектов для
аналогично выполняемых операций нежелательно.
       2. Изобразить фрагмент эскиза фотошаблона (вид сверху и сбоку) для одной
из фотолитографий, заданных в соответствии с вариантом :
       - для вариантов 1-7, соответственно фотолитографии 1-7 изделия 1 (см. рис.
1 и табл.П.1);
       - для вариантов 8-14, соответственно фотолитографии 1-4 и 9, 10, 12 изделия
2 (см. рис. 2 и табл.П.2.).
       Примечание. Фрагмент эскиза фотошаблона изобразить с учетом:
       1) применения позитивного фоторезиста;
       2) вида структуры полупроводниковой ИС или БИС (найти на рис.26 или
рис.27 заданный вариантом вид структуры и изобразить его) ;
       3) включения в фрагмент эскиза фотошаблона необходимых для данной
фотолитографии топологических элементов структуры ИС или БИС (с
сохранением их геометрических пропорций на фотошаблоне).

            III. Измерение параметров слоев полупроводниковой микросхемы.
      1. Определить толщину диффузионного слоя по глубине залегания p-n
перехода (XJ) в кремнии, для этого:
      - разместить образец 11 (из кассеты 1) так, чтобы в поле зрения микроскопа
была видна лунка шарового шлифа;
      - трижды измерить значения Н (см .рис. 28) для лунки шарового шлифа
(радиально поворачивая под микроскопом образец и измеряя H1, H2, H3) и занести
результаты измерений в форму таблицы 5;
                                                                   H 2n2
      - рассчитать значения XJ1, XJ2 и Xj3 по формуле X J =              , где H – размер
                                                                    8R
хорды в делениях шкалы окуляра микроскопа, n – цена деления для данного
объектива в мкм, R – радиус шара приспособления для изготовления шарового
                                                i =3
шлифа в мкм, и определить Xjсредн. по формуле   ∑X
                                                i =1
                                                       ji   / 3;

     - результаты расчетов занести в форму таблицы 5.
     2. По цвету пластины №12 определить толщину слоя окисла (hSiO2),
используя табл.2 с учетом порядка интерференции.
     3. Результаты выполнения п.2 занести в форму таблицы 6.

      Контрольные вопросы
   1. Какова последователъностъ операций изготовления полупроводниковой ИС?
   2. Изобразите сечение полупроводниковой ИС после заданной операции:
      разделительной диффузии, фотолитографии, пассивации и т.п.
   3. Назначение фотошаблонов, технология их изготовления. Изобразите
      фрагмент эскиза фотошаблона для одной из операций полупроводниковой
      микросхемы.
   4. Охарактеризуйте отдельные операции технологического процесса
      изготовления полупроводниковой ИС: фотолитографию, окисление,
      диффузию и т.п.
   5. Каково назначение скрытого слоя, вертикального слоя, разделительной
      области и других элементов полупроводниковой ИС?
                                       111