ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Описание лабораторного макета
Для выполнения лабораторной работы используются:
1. Микроскоп типа ММУ-3.
2. Две кассеты с макетными образцами. Кассета 1 содержит: три образца,
отобранные после резки слитка, механической шлифовки и полировки
пластин кремния; семь образцов – после выполнения различных операций
технологического процесса изготовления цифровой ИС типа 133ЛА3; два
образца (№ 11 и 12), предназначенные для измерения параметров слоев ИС.
Кассета 2 содержит: 12 образцов, отобранных после выполнения различных
операций технологического процесса изготовления цифро-аналоговой БИС
типа 1051ХА3.
Для удобства в работе и возможности размещения в кассетах, макетные
образцы изготавливались из рабочих пластин диаметром 100 мм с применением
скрайбирования и ломки пластин. Приступая к работе, следует помнить, что
макетные образцы очень хрупки, поэтому после рассмотрения их следует сразу же
размещать в кассете. О замеченных поломках следует сообщить преподавателю.
Требования к отчету
Отчет должен содержать:
- титульный лист;
- цель работы;
- краткие теоретические сведения;
- результаты выполнения лабораторного задания, сведенные в формы таблиц 3,
4, 5, 6;
- фрагмент эскиза фотошаблона (вид сверху и сбоку) с видом структуры
полупроводниковой ИС или БИС, для которой используется данный
фотошаблон;
- выводы по работе, отражающие возможные причины брака при изготовлении
микросхем на биполярных транзисторах.
Лабораторное задание
Домашнее задание
1. Ознакомиться с описанием лабораторной работы.
2. Подготовить формы таблиц 3 – 6 для записи результатов.
3. Подготовить начальную часть отчета, содержащую: титульный лист, цель
работы, краткие теоретические сведения.
4. Подготовиться к ответам на контрольные вопросы.
5. Для выполнения лабораторной работы необходимо иметь: калькулятор,
линейку, карандаш, ластик.
Работа в лаборатории
1. Изучить последовательность операций при изготовлении
полупроводниковых микросхем.
2. Изучить технологические операции производства полупроводниковых
микросхем.
3. Измерить параметры слоев полупроводниковой микросхемы.
4. Изобразить эскиз фотошаблона (вид сверху и сбоку), необходимого для
выполнения заданной фотолитографии.
5. Ознакомиться с оборудованием и материалами, применяемыми в
Описание лабораторного макета
Для выполнения лабораторной работы используются:
1. Микроскоп типа ММУ-3.
2. Две кассеты с макетными образцами. Кассета 1 содержит: три образца,
отобранные после резки слитка, механической шлифовки и полировки
пластин кремния; семь образцов – после выполнения различных операций
технологического процесса изготовления цифровой ИС типа 133ЛА3; два
образца (№ 11 и 12), предназначенные для измерения параметров слоев ИС.
Кассета 2 содержит: 12 образцов, отобранных после выполнения различных
операций технологического процесса изготовления цифро-аналоговой БИС
типа 1051ХА3.
Для удобства в работе и возможности размещения в кассетах, макетные
образцы изготавливались из рабочих пластин диаметром 100 мм с применением
скрайбирования и ломки пластин. Приступая к работе, следует помнить, что
макетные образцы очень хрупки, поэтому после рассмотрения их следует сразу же
размещать в кассете. О замеченных поломках следует сообщить преподавателю.
Требования к отчету
Отчет должен содержать:
- титульный лист;
- цель работы;
- краткие теоретические сведения;
- результаты выполнения лабораторного задания, сведенные в формы таблиц 3,
4, 5, 6;
- фрагмент эскиза фотошаблона (вид сверху и сбоку) с видом структуры
полупроводниковой ИС или БИС, для которой используется данный
фотошаблон;
- выводы по работе, отражающие возможные причины брака при изготовлении
микросхем на биполярных транзисторах.
Лабораторное задание
Домашнее задание
1. Ознакомиться с описанием лабораторной работы.
2. Подготовить формы таблиц 3 – 6 для записи результатов.
3. Подготовить начальную часть отчета, содержащую: титульный лист, цель
работы, краткие теоретические сведения.
4. Подготовиться к ответам на контрольные вопросы.
5. Для выполнения лабораторной работы необходимо иметь: калькулятор,
линейку, карандаш, ластик.
Работа в лаборатории
1. Изучить последовательность операций при изготовлении
полупроводниковых микросхем.
2. Изучить технологические операции производства полупроводниковых
микросхем.
3. Измерить параметры слоев полупроводниковой микросхемы.
4. Изобразить эскиз фотошаблона (вид сверху и сбоку), необходимого для
выполнения заданной фотолитографии.
5. Ознакомиться с оборудованием и материалами, применяемыми в
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 107
- 108
- 109
- 110
- 111
- …
- следующая ›
- последняя »
