Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 99 стр.

UptoLike

Составители: 

99
Окончание рисунка 1:
м диффузия фосфора для формирования эмиттерных и приконтактных
коллекторных n
+
- областей;
нфотолитография 5 для вскрытия окон под контакты к элементам ИС;
о фотолитография 6 по слою металлизации для формирования коммутации
элементов ИС;
п фотолитография 7 по слою пассивации для вскрытия окон к контактным
площадкам ИС.
Окончание рисунка 1:
м – диффузия фосфора для формирования эмиттерных и приконтактных
       коллекторных n+ - областей;
н – фотолитография 5 для вскрытия окон под контакты к элементам ИС;
о – фотолитография 6 по слою металлизации для формирования коммутации
     элементов ИС;
п – фотолитография 7 по слою пассивации для вскрытия окон к контактным
     площадкам ИС.




                                99