Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 120 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

120
Продолжение табл. П.2.
1 2 3 4 5 6
2 . Окисление пластин
(выращивание SiO
2
) по
системе: сухой O
2
- пары
воды - сухой O
2
при
T=1050
0
С.
T, t, расход
газов (М
г
)
Толщина
окисла (h)
Кислород газообразный, азот
газообразный, вода
деионизованная марки А,
(при необходимости 10% HF),
фильтр обеззоленный, батист
отбеленный
мерсеризованный.
Печь диффузионная типа ДОМ;
прибор для измерения толщины
окисла, например, эллипсометр.
3 . Фотолитография 1 для
вскрытия окон под
диффузию сурьмы (перед
формированием скрытых
n
+
- слоев ) :
а) подготовка
поверхности пластин ;
б) нанесение фоторезиста
(ФР) ;
в) сушка слоя ФР ;
г) совмещение и
экспонирование ;
д) проявление ФР ;
е) задубливание ;
ж) травление SiO
2
;
з) удаление ФР.
T, t, М
ж
*
с
**
, п
ц
***
Т, t
t
t
T, t
t
T, t
Внешний
вид,
линейные
размеры.
Фоторезист позитивный ФП-
051МК,
этилцеллозольвацетат,
гексаметилдисизалан,
травильный раствор (для
травления SiO
2
), раствор для
проявления (0,6% KOH), вода
деионизованная марки А,
смесь Каро, спирт этиловый
ректификат; фильтр
обеззоленный, батист
отбеленный
мерсеризованный.
Линия фотолитографии
"Лада - Электроника";
микроскоп типа УИМ-25. 
                                                                                                      Продолжение табл. П.2.

1                2                     3            4                      5                                  6
2.   Окисление пластин          T, t, расход    Толщина      Кислород газообразный, азот    Печь диффузионная типа ДОМ;
     (выращивание SiO2) по      газов (Мг)      окисла (h)   газообразный, вода             прибор для измерения толщины
     системе: сухой O2 - пары                                деионизованная марки А,        окисла, например, эллипсометр.
     воды - сухой O2 при                                     (при необходимости 10% HF),
     T=10500С.                                               фильтр обеззоленный, батист
                                                             отбеленный
                                                             мерсеризованный.
3.   Фотолитография 1 для                                    Фоторезист позитивный ФП-      Линия фотолитографии
     вскрытия окон под                                       051МК,                         "Лада - Электроника";
     диффузию сурьмы (перед                                  этилцеллозольвацетат,          микроскоп типа УИМ-25.
     формированием скрытых                                   гексаметилдисизалан,
     n+ - слоев ) :                             Внешний      травильный раствор (для
                                            *
     а) подготовка               T, t, Мж         вид,       травления SiO2), раствор для
     поверхности пластин ;                      линейные     проявления (0,6% KOH), вода
     б) нанесение фоторезиста    с**, пц***     размеры.     деионизованная марки А,
     (ФР) ;                                                  смесь Каро, спирт этиловый
     в) сушка слоя ФР ;             Т, t                     ректификат; фильтр
     г) совмещение и                 t                       обеззоленный, батист
     экспонирование ;                                        отбеленный
     д) проявление ФР ;              t                       мерсеризованный.
     е) задубливание ;              T, t
     ж) травление SiO2 ;             t
     з) удаление ФР.                T, t




                                                             120

Страницы