Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 121 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

121
Продолжение табл. П.2.
1 2 3 4 5 6
4 . Диффузия сурьмы для
формирования скрытых
n
+
- слоев:
а) 1-я стадия диффузии
(загонка примеси при
T=1150
0
C);
б)удаление
сурьмяносиликатного
стекла;
в) 2-я стадия диффузии
(разгонка примеси
вглубь
полупроводника) с
выращиванием SiO
2
в
сухом O
2
при T=1200
0
C.
T, t, М
г
Внешний вид,
уд. пов. сопр. ρ
s
,
глубина
залегания p-n
перехода
(толщина
диффузионного
слоя) X
j
Кислород газообразный, азот
газообразный (или аргон),
сурьма кристаллическая
(в ампулах), раствор для
выявления p-n перехода,
травильный раствор, спирт
этиловый ректификат, вода
деионизованная марки А;
батист отбеленный
мерсеризованный, фильтр
обеззоленный, алмазная паста
(на основе тонкого
микропорошка).
Печь диффузионная типа ДОМ;
установка для измерения ρ
s
(четырехзондовая) типа ЦИУС;
микроскоп типа МИМ-7; установка
для получения шарового шлифа;
модуль (для травления пластин) из
линии хим. обработки
"Лада - Электроника".
5 . Фотолитография 2 для
вскрытия окон в ФР
под ионное
легирование бором
(перед формированием
донной части
разделительных
p
+
-областей).
Анало -
гично
операции
3
п.п. а - з
Внешний вид Фоторезист позитивный типа
ФП-051МК,
этилцеллозольвацетат,
гексаметилдисилазан,
травильный раствор (для
травления SiO
2
), раствор для
проявления (0,6 % KOH), вода
деионизованная марки А, спирт
этиловый ректификкат; фильтр
обеззоленный, батист
отбеленный мерсеризованный.
Линия фотолитографии
"Лада-Электроника". 
                                                                                                       Продолжение табл. П.2.
1                2               3              4                            5                                 6
4.   Диффузия сурьмы для     T, t, Мг   Внешний вид,         Кислород газообразный, азот     Печь диффузионная типа ДОМ;
     формирования скрытых               уд. пов. сопр. ρs,   газообразный (или аргон),       установка для измерения ρs
     n+ - слоев:                        глубина              сурьма кристаллическая          (четырехзондовая) типа ЦИУС;
     а) 1-я стадия диффузии             залегания p-n        (в ампулах), раствор для        микроскоп типа МИМ-7; установка
     (загонка примеси при               перехода             выявления p-n перехода,         для получения шарового шлифа;
     T=11500C);                         (толщина             травильный раствор, спирт       модуль (для травления пластин) из
     б)удаление                         диффузионного        этиловый ректификат, вода       линии хим. обработки
     сурьмяносиликатного                слоя) Xj             деионизованная марки А;         "Лада - Электроника".
     стекла;                                                 батист отбеленный
     в) 2-я стадия диффузии                                  мерсеризованный, фильтр
     (разгонка примеси                                       обеззоленный, алмазная паста
     вглубь                                                  (на основе тонкого
     полупроводника) с                                       микропорошка).
     выращиванием SiO2 в
     сухом O2 при T=12000C.
5.   Фотолитография 2 для    Анало -     Внешний вид         Фоторезист позитивный типа      Линия фотолитографии
     вскрытия окон в ФР       гично                          ФП-051МК,                       "Лада-Электроника".
     под ионное             операции                         этилцеллозольвацетат,
     легирование бором           3                           гексаметилдисилазан,
     (перед формированием п.п. а - з                         травильный раствор (для
     донной части                                            травления SiO2), раствор для
     разделительных                                          проявления (0,6 % KOH), вода
     p+-областей).                                           деионизованная марки А, спирт
                                                             этиловый ректификкат; фильтр
                                                             обеззоленный, батист
                                                             отбеленный мерсеризованный.



                                                               121

Страницы