Процессы микро- и нанотехнологий. Ч. 2. Шутов Д.А - 122 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

122
Продолжение табл. П.2.
1 2 3 4 5 6
6 . Ионное
легирование
бором (фор-
мирование
донной части
разделительных
p
+
-областей).
*р (),
**Д,
*** пар.
ионного
пучка.
Контроль
отсутствует
Трехбромистый бор, спирт этиловый
ректификат; батист отбеленный
мерсеризованный.
Установка для ионного
легирования типа "Лада - 30".
7 . Удаление ФР. Внешний вид Смесь Каро, вода деионизованная марки А,
батист отбеленный мерсеризованный
Модули линии фотолитографии
"Лада-Электроника"
8 . Удаление SiO
2
Внешний вид Травитель (65%HF), вода деионизованная
марки А ; батист отбеленный
мерсеризованный.
Модули линии фотолитографии
"Лада-Электроника"
9 . Эпитаксиальное
наращивание
слоя кремния
(n - Si) при
T=1200
0
C.
Толщина
эпитаксиального
слоя α , уд. об.
сопр. ρ
v
,
плотность дис-
локаций (де-
фектов упаковки,
линий
скольжения).
Тетрахлорид кремния, водород
газообразный, азот газообразный, хлор
газообразный, травитель для выявления
дислокаций, вода деионизованная марки А,
спирт этиловый ректификат; батист
отбеленный мерсеризованный.
Установка эпитаксиального
наращивания типа "Эпиквар";
установка измерения удельного
объемного сопротивления ρ
v
-
ЦИУС ; многолучевой
интерферометр типа МИСС;
микроскоп типа МИМ-7.
*p - остаточное давление в рабочей камере ; ***Д - доза ионов; *** пар. - параметры ионного пучка : ток ионного
пучка , диаметр ионного пучка , энергия ускоренных ионов , качество сканирования. 
                                                                                                    Продолжение табл. П.2.

1           2             3             4                                 5                                    6
6.   Ионное             *р (),      Контроль         Трехбромистый бор, спирт этиловый          Установка для ионного
     легирование        **Д,       отсутствует       ректификат; батист отбеленный              легирования типа "Лада - 30".
     бором (фор-      *** пар.                       мерсеризованный.
     мирование        ионного
     донной части      пучка.
     разделительных
     p+-областей).
7.   Удаление ФР.                 Внешний вид        Смесь Каро, вода деионизованная марки А,   Модули линии фотолитографии
                                                     батист отбеленный мерсеризованный          "Лада-Электроника"
8.   Удаление SiO2                Внешний вид        Травитель (65%HF), вода деионизованная     Модули линии фотолитографии
                                                     марки А ; батист отбеленный                "Лада-Электроника"
                                                     мерсеризованный.
9.   Эпитаксиальное                  Толщина         Тетрахлорид кремния, водород               Установка эпитаксиального
     наращивание                 эпитаксиального     газообразный, азот газообразный, хлор      наращивания типа "Эпиквар";
     слоя кремния                 слоя α , уд. об.   газообразный, травитель для выявления      установка измерения удельного
     (n - Si) при                    сопр. ρv,       дислокаций, вода деионизованная марки А,   объемного сопротивления ρv -
     T=12000C.                    плотность дис-     спирт этиловый ректификат; батист          ЦИУС ; многолучевой
                                   локаций (де-      отбеленный мерсеризованный.                интерферометр типа МИСС;
                                 фектов упаковки,                                               микроскоп типа МИМ-7.
                                      линий
                                   скольжения).
 *p - остаточное давление в рабочей камере ; ***Д - доза ионов; *** пар. - параметры ионного пучка : ток ионного
 пучка , диаметр ионного пучка , энергия ускоренных ионов , качество сканирования.




                                                           122

Страницы